11月28日，聚焦高端電子元器件產業變革的芯質俱樂部年會暨硅電容生態大會在上海召開。

本次大會由上海同濟經濟園區發展有限公司與上海朗矽科技有限公司聯合主辦，匯聚了嘉定區政府領導、芯片產業上下游企業代表、硬科技領域一線投資機構、高校科研團隊及行業研究員，更將通過發布硅電容行業白皮書、核心技術分享、兩場圓桌論壇及合作簽約等重磅環節，搭建起技術交流、資源對接與生態協同的核心平臺，共同探索中國在高端電容與芯片支撐環節的自主突破路徑，為硅電容產業的產業化進程注入新動能。

朗矽科技于2023年3月成立，致力于以“硅電容”切入高端電子元器件賽道，逐步構建國產化高端元件平臺。公司專注于3D硅電容、硅電感及硅電阻的設計、研發與銷售，產品廣泛覆蓋AI算力芯片、高性能SoC、高速光模塊、服務器高密度電源等百億級應用市場，獲得24項核心專利，并獲批2024年上海市集成電路先導產業項目。

在高端電子元器件領域，傳統MLCC（多層陶瓷電容）長期面臨“卡脖子”困境——從關鍵原材料BaTiO 粉體，到核心設備帶式爐、漿料涂敷系統，再到工藝配方，全鏈條被村田、TDK、京瓷等日系企業壟斷，因此，在先進手機 SoC、大芯片、服務器、電動車電子等應用領域，國產替代空間巨大但切入門檻極高，行業急需新路徑破局。

朗矽科技根據行業痛點，選擇以“硅電容”為戰略切入點。硅電容使用CMOS/MEMS工藝制造，本質上屬于半導體設備體系，不再受制于日系廠商壟斷的陶瓷材料體系。這被認為是“技術路線換道超車”。

與當前主流的陶瓷電容相比，硅電容在高頻、高可靠、小型化方面具備天然優勢。硅電容通過半導體工藝革新解決了MLCC的三大瓶頸，在空間方面硅電容實現納米級介質層，可用3D封裝集成。標準化的硅電容可以做到100 m，定制化的可以做到40~50 m，可用于高性能SoC的封裝模塊，更契合終端產品小型化的需求；高頻方面，硅電容ESL/ESR逼近物理極限。同時，硅電容壽命更是達到傳統MLCC的20倍。

當前，硅電容已被英偉達和蘋果率先應用，可顯著提升主芯片性能。“AI芯片的功耗大、頻率高，電源穩定性直接影響運算效率。硅電容能在高頻下提供極低阻抗和優異的高頻特性，在AI服務器、光通信模塊中起到穩壓核心、高頻濾波等作用”，朗矽科技創始人汪大祥表示。

據市場調查公司Transparency Market Research數據顯示，2021年全球硅電容市場規模為15.8億美元，隨著AI服務器、電源管理、光通信需求的爆發，未來三年硅電容將進入快速成長階段。

在技術研發層面，朗矽科技以半導體精密制造的思維代替傳統被動組件的研發制造，研發高介電常數薄膜與低損耗結構，導入先進ALD技術，使硅電容具備高容值密度、低ESR、低ESL和低漏電等特性。

在商業化落地層面，朗矽科技正與AI大算力芯片、SOC芯片、電源管理IC、光模塊等頭部企業治談合作，計劃聯合開發模塊級整合產品，讓電容不再是單一組件，而是整體解決方案的一部分，推動行業標準化應用。

對于如何縮短與國際巨頭的差距，汪大祥表示，“中國市場龐大、應用多元多樣，客戶對新技術接受度高，這讓我們能夠快速試錯、優化快速迭代。同時，我們在高密度整合設計、封裝定制化、與AI應用場景的結合上走得更靈活。與國際巨頭相比，我們在品牌影響力和客戶信賴度上仍在追趕，但在技術迭代、高密度整合與定制化封裝上已有自主優勢，可針對AI、HPC、SOC等場景提供訂制且更高性能的解決方案。”