C114訊 1月9日消息（劉定洲）一直步履艱難的中國光通信器件產業終于受到了國家相關機構的重視。近日，針對光電子器件產業發展現狀和趨勢，工業和信息化部電子信息司委托相關行業協會，并組織骨干企業、研究機構、大專院校、行業專家等共同編制了《中國光電子器件產業技術發展路線圖（2018-2022年）》（以下簡稱《路線圖》），并于2017年12月29日正式發布。

這份報告囊括了光通信器件、光纖光纜、特種光纖、光傳感器件、光照明器件、光顯示器件六大類別，我們單談光通信器件。作為光通信產業鏈不可或缺的一環，光通信器件是整個光通信網絡的“心臟”，地位十分重要；同時，由于種種原因，中國光通信器件產業嚴重落后于光系統設備和光纖光纜產業的發展水平，成為打造健壯光通信產業鏈、建設網絡強國的一大隱患。

報告咨詢了多位權威專家教授，基本上代表了對光通信器件產業發展現狀和未來走向的判斷。那么，從報告里我們可以看到哪些困境？又將如何走出困境，發展壯大？

正視差距

報告介紹，光通信器件按照其物理形態的不同，可分為芯片、光有源器件、光無源器件、光模塊與子系統這四大類。其中，有源光收發模塊的產值在光通信器件中占據最大份額，約為65%。不僅規模占據重要位置，光收發模塊的性能也主導著光通信網絡的升級換代，在接入端、傳輸端等不同細分市場上，均發揮著至關重要的作用。

近十年來，我國的光通信產業取得了迅猛發展和驕人成績，國產光通信設備廠家在全球光通信設備市場份額中占據第一的位置。但是光通信器件產業與國際領先水平還有較大差距，目前國內核心的光通信芯片及器件仍然嚴重依賴于進口，高端光通信芯片與器件的國產化率不超過10%，“大而不強”的問題突出。

根據咨詢機構以及行業供給情況給出的光收發模塊、光芯片、電芯片國產化率測算數據，10Gb/s速率的光芯片國產化率接近50%，25Gb/s 及以上速率的國產化率遠遠低于 10Gb/s速率，國內供應商可以提供少量的25Gb/s PIN器件/APD器件外，25Gb/s DFB激光器芯片剛剛完成研發。25Gb/s速率模塊使用電芯片基本依賴進口。

從產品技術分析，國外的競爭對手在高端光通信器件方面都具備了相關產品的開發和生產能力，國內光電子企業目前還處在追趕階段，與國外競爭對手有著較大的差距。當前全球光通信行業的高端器件產品幾乎全部由美國、日本廠商主導，且出現供不應求的局面，而國內基本屬于空白，或者處于研發階段。

從核心芯片能力分析，國內企業目前只掌握了10Gb/s速率及以下的激光器、 探測器、調制器芯片，以及PLC/AWG芯片的制造工藝以及配套IC的設計、封測能力，整體水平與國際標桿企業還有較大差距，尤其是高端芯片能力比美日發達國家落后1-2代以上。而且，我國光電子芯片流片加工嚴重依賴美國、新加坡、 加拿大、中國臺灣、德國、荷蘭等國家和地區，使得我國在國家各級研發計劃支持下發展的關鍵技術大量流失。由于缺乏完整、穩定的光電子芯片、器件加工工藝平臺以及工藝人才隊伍，國內還難以形成完備的標準化光通信器件研發體系，導致芯片研發周期長、效率低，造成我國光通信器件技術與國外差距逐漸擴大。

且顧當下

中國光通信器件產業與全球存在巨大差距的原因，主要有四個。

其一，國內光通信器件廠家主要集中在中低端市場，以組裝代工為主，產品附加值不高，同質化嚴重，激烈的價格競爭使得廠家更加注重短期盈利，無法獲取大量資金用于長期研發投資；同時，國內以價格為導向的集采招標模式，設備、纖纜企業為了搶占份額展開低價惡性競爭，并且價格壓力傳導至上游器件環節，整個產業鏈盈利艱難，也直接制約新技術研發。這也導致了高端光通信芯片基本被國外廠家壟斷。

其二，國外廠家通過收購與兼并等方式，不斷進行產業鏈拓展，成功地完成技術與業務轉型，使其產品覆蓋光器件、光模塊領域的幾乎所有環節，從無源到有源，從芯片到模塊，把握產業鏈條的每一個環節，牢牢占據產業鏈的高端。中國光通信器件產業整體起步晚，在諸多方面存在欠缺。

其三，在光通信器件與模塊的國際標準制定中，一直以來很少見到中國廠家的身影，國內標準普遍參照國際標準執行。這導致了國內廠家話語權的缺失，使得標準和行業發展以眾多國外大企業的意志為走向，對國內廠家十分不利。

其四，光通信器件產業發展嚴重依賴于先進測試儀表、制造裝備等基礎性行業能力。國內儀表裝備廠商基本從事低端設備的開發，精度高、自動化程度高的設備大都嚴重依賴進口，光通信器件廠家固定資產投資負擔過重。

以上種種原因，導致絕大多數中國光通信器件廠家選擇“短視”，且顧當下，看重短期利益，難以積累核心技術。目前，光設備和光纖光纜產業已經呈現寡頭競爭的局面，光通信器件產業正朝這一趨勢發展，如不能夠發展出整體競爭力，中國光通信器件產業前途堪憂。

任重道遠

報告針對中國光通信器件產業發展困境，提出了結構調整目標：產品由低端走向高端、技術由組裝走向核心芯片、市場從國內走向國際，以及培育龍頭領軍企業和新興中小企業，推動上下游產業鏈互聯互通。

基于以上目標，要搭建產業技術協作與創新平臺，構建長效的創新發展機制：有效整合國內外各類創新資源，建立聯合開發、優勢互補、成果共享、風險共擔的協同創新機制，開展產業前沿技術研究與共性關鍵技術研發等。加強核心有源激光器、硅基光電子芯片及上游關鍵材料等設計、制造工藝平臺建設與工藝人才培養；突破高密高速等集成封裝與測試工藝，實現高端產品產業化；完善技術標準、知識產權體系建設。

筆者認為，光通信器件產業發展方向明確，本身不會出現大的戰略誤判。根本困難在于，中國產業技術基礎過于薄弱，高強度的研發投資存在很大風險，預期回報率偏低，限制了資本的沖動。但是，掌握光通信器件的核心技術，要站在更高的角度去看待其價值，作為建設網絡強國的重要一環，國家應該在政策層面予以扶持。

例如，隨著硅光子等光子集成技術的未來明晰，美國由政府出面，在2015年7月投資6.1億美元，成立集成光子學創新機構AIM Photonics，聚合產官學資源，打造標準化的集成光子平臺，方便技術擴散。此舉體現了美國政府長遠的戰略眼光，但是中國“風雨不動安如山”，并沒有類似計劃。

報告針對幾十種主要光通信器件產品提出了具體市場目標。例如到2022年，實現400G速率以下產品所用核心光電芯片50%的國產化，市場占有率提升到70%，1T+ 速率光收發模塊產品實現市場突破。 總的來說，目標較為激進。要全部或部分實現這樣的目標，整個產業任重而道遠。

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